技術文章
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MicroGaN公司將3D技術引入氮化物電晶體 2012-7-16
MicroGaN發佈了一款基於矽基板GaN的600V耐壓功率元件,預計2012年功率電子?品採購商將能夠以矽(Si)基器件價格獲得與 SiC基元件性能相當的高性能電晶體和二極體。
III-V族閃耀IEDM 2011 2012-7-16
2011年的IEDM會議中,III-V族MOSFET進入了三維、低能耗的量子井場效電晶體領域,而GaN二極體和電晶體達到同時具備高崩潰電壓及極小漏電流的境界。
Gartner:2012年全球晶圓製造設備支出衰退8.9% 2012-6-25
國際研究暨顧問機構Gartner發布最新展望報告,2012年全球晶圓製造設備(WFE)支出預期為330億美元,較2011年362億美元的支出規模衰退了8.9%。Gartner分析師表示,晶圓製造設備市場可望於2013年恢...
染料製成高效太陽能電池 2011-12-16
北卡羅萊納州州立大學(North Carolina State University)的發明具有巨大潛力,可以提高太陽能電池效率,也可用於其他一些技術,開發陽光能量。
夏普三結化合物太陽電池單元轉換效率達36.9% 2011-12-6
三結化合物太陽電池通過頂層、中層和底層三種單元吸收不同波長的光線,由此來提高轉換效率。
用於高功率鐳射系統的新型模式剝離 SMA 接頭光纜 2011-11-28
Fiberguide 新推出的高功率模式剝離 (Mode Stripping) SMA 接頭光纜為高功率鐳射焊接、打標、切割和鑽孔設備提供比傳統鐳射傳輸光纖傳遞更高能量的選擇。
Diodes超薄型整流器簡化太陽能電池板設計 2011-11-10
這款最新的SBR可作為一個高效光電模組旁路二極體,並發揮關鍵的作用。其最大的封裝高度只有0.75毫米,可焊接於太陽能電池板內,有效免除額外接線盒的需要。
來源於連結硒化鉛(PbSe)納米顆粒的廉價而高效的... 2011-11-4
鉛硒化合物量子原子團相互間的距離是如此之近,以至於每一個被太陽能電池吸收的單獨光粒子都能引起電子的移動。
Molex採用SolarEdge技術優化SolarSpec智慧接線盒 2011-11-1
內嵌SolarEdge晶片組的模組化可互換盒蓋實現電子集成,並促進手工或自動化裝配線的精益製造.
RFMD 推出氮化鎵寬頻功率放大器 2011-10-28
RFHA1003 氮化鎵功率 IC (PIC) 是一款寬頻功率放大器,專為連續波和脈衝應用而設計。
意法半導體提升從太陽能板至電網的全程能源轉換效... 2011-10-28
意法半導體近期推出一系列針對其 SolarPlus參考設計開發的先進產品,能夠讓下一代發電設備的控制變得更加簡易,並產生更多的再生能源。
英科學家成功構建全固態薄膜電池雛形 2011-10-25
新的全固態電池通過沉積手段合成,呈多層薄膜狀。開發過程中使用了Ilika獨有的高通量物理氣相沉積平臺,該平臺可將基礎材料的研發進程加快10至100倍。
GaN-on-silicon電晶體速度更快體積更小 2011-10-24
最新的研究成果使混合電特性的電晶體成為可能:既具有CMOS晶片的計算能力,又具有氮化鎵電晶體的功率處理能力。
納米結構使矽薄膜太陽能電池成本減半 2011-10-24
目前太陽能電池一般都由高品質的矽晶體製成,因此,大大提高了其製造成本,限制了太陽能電池在全球大規模的應用。南洋理工大學(NTU)和新加坡微電子研究院(IME)的科學家製造出的這種新的薄膜矽...
受色彩鮮豔的鳥類啟發而製造的砷化鎵/砷化銦納米雷... 2011-10-21
科學家們模仿鳥類羽毛的納米結構製造出了由砷化鎵膜和砷化銦量子點組成的雷射器。
III-V族雷射器在矽片上實現直接集成 2011-10-20
與他們以前的工作(演示脈衝鐳射工作原理)相比,法國的IES集團已經在雷射器中加入一個具有雙重功能的塗層:蝕刻停止(etch-stop)層和歐姆接觸層。
銅納米線薄膜可顯著降低電子設備成本 2011-10-17
美國杜克大學的科學家研製出了一種新型納米結構,其具有降低手機、電子閱讀器和iPad等顯示器製造成本的潛力,亦能幫助科學家構建可折疊的電子產品並提升太陽能電池的性能,目前已進入商業製造階段...
恩智浦宣佈推出針對非調光LED燈泡的GreenChip解決... 2011-10-12
高度緊湊的SSL2108x平臺打造高效率、低成本的LED燈,可滿足100V、120V和230V市場低本高效應用的設計需求,驅動器最大轉換效率高達95%.
藍寶石可削減高速HEMT的漏電流 2011-10-12
位於加利福尼亞馬里布的HRL Laboratories的研究人員製造出了40 nm柵極長度GaN HEMT器件,它結合了數百GHz的運行速度與令人難以置信的低柵極漏電流。2 nm厚藍寶石層可以大大減少在高速、高比例HEM...
採用內部倍頻目標氣體檢測的QCL 2011-10-12
利用GaInAs和AlInAs配對腔內倍頻創建3 mm QCL,一個美國研究小組大大改善了其具有倍頻區的GaInAs/AlInAs量子級聯雷射器(QCL)的短波長輸出功率。
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