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Microsemi發佈用於二級監視雷達航空應用的RF電晶體

2012-9-10 14:56:28

美高森美公司(Microsemi Corporation)宣佈推出第一款用於高功率航空交通管制(air traffic control, ATC)、二級監視無線(secondary surveillance radio, SSR)應用的射頻(RF)電晶體的產品1011GN-700ELMSSR用於發送資訊至裝備有雷達應答器的飛機,並且同時收集資訊,容許航空交通控制員識別、跟蹤和測量特定飛機的位置。美高森美新型1011GN-700ELM元件的峰值為700W,工作頻率1030MHz,並且支援短脈衝和長脈衝的特長訊息 (extended length message, ELM) 。新型電晶體建基於GaN on SiC 技術,這項技術特別適合高功率電子應用。

 

美高森美公司RF整合系統產品部門副總裁David Hall表示:「我們積極推動開發下一代GaN on SiC功率元件,把握更高性能航太和軍事應用不斷增長的機會。新產品的發佈,讓我們現在可提供250500700W高可靠性GaN on SiC電晶體,用於二級監控雷達搜索和跟蹤應用。我們還在研發多個其它GaN on SiC電晶體產品,將於今年稍後推出。」

 

美高森美即將推出的產品包括多個用於LSC波段雷達系統的高脈衝功率GaN on SiC電晶體,並且提供一整套GaN微波功率元件,包括S波段雷達型款:2729GN-1502729GN-2702731GN-110M2731GN-200M3135GN-100M3135GN-170M2735GN-35M2735GN-100M。正在開發數款新產品包括用於涵蓋960-1215 MHzL波段航空電子產品;涵蓋1200-1400MHzL波段雷達,以及涵蓋2.7-2.9 GHzS波段雷達的較高功率元件。

 


關於1011GN-700ELM RF電晶體

 

1011GN-700ELM電晶體具有無與倫比的性能,包括700W峰值功率,21dB功率增益,以及1030 Mhz70% 洩極效率,以降低整體洩極電流和熱耗散,其它的主要產品特性包括:

 

  • 短脈衝和長脈衝間歇模式:   ELM = 2.4 ms, 64%6.4% LTD
  • 出色的輸出功率:                       700W
  • 高功率增益:                               >21 dB最小值
  • 經控制的動態範圍:                   增量1.0dB,總計15 dB
  • 洩極偏壓 - Vdd:                  +65V

 

使用GaN on SiC高電子遷移率電晶體(HEMT)所實現的系統優勢包括:

 

  • 採用簡化阻抗匹配的單端設計,替代需要合成更多電壓準位的較低功率元件
  • 較高峰值功率和功率增益,用於減少系統功率級和最終功率級合成
  • 單級配對提供具有餘裕的1.3kW功率,四路結合提供4 kW整體系統功率
  • 65V高工作電壓,減小電源尺寸和直流電流需求
  • 極高穩健性,提高系統良率
  • 放大器尺寸比使用Si BJTLDMOS製程的元件小50%


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