研發報告
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鄭州大學首次製備出新型近紅外發光二極體 2011-12-14
鄭州大學物理工程學院教授李新建研究組從半導體異質結的發光原理出發,在國際上首次提出一種新的NIR LED發光機理和器件設計理念,製備出GaN/Si納米異質結構近紅外發光二極體,為近紅外二極體的設...
Roth&Rau 156mm矽片效率達21% 2011-12-8
Roth Rau的太陽能電池實現了21%的效率。該156mm單晶矽片基於異質結(HJT)技術,於今年九月在漢堡舉行的歐盟光伏太陽能展會上首次亮相,當時效率額定值為20%。
新材料為柔性太陽能電池鋪路 2011-11-10
這種由美國加州大學聖塔芭芭拉分校的一個科研組研製的太陽能電池的能源效率是6.7%,可與目前性能最好的聚合體太陽能電池相媲美。大部分聚合體電池的能源效率在6%到8%之間。
砷化鎵薄膜太陽能電池效率提升至28.4% 2011-11-10
該太陽能電池效率提升的關鍵並非是讓其吸收更多光子而是讓其釋放出更多光子,未來用砷化鎵製造的太陽能電池有望突破能效轉化記錄的極限。
美國科學家發現氮化鎵材料的無毒性和生物相容性 2011-11-4
最近的研究發現已經顯示,氮化鎵可以用於建造電極以使用在治療阿爾茲罕默氏病的神經刺激療法中,以及用於監控血液化學過程的電晶體。
美國製造出自然界沒有的全新晶體 2011-10-17
美國西北大學開發出一種新方法,將納米粒子作為“原子”,DNA作為“化學鍵”,按照某些自然界晶體中的原子晶格方式來製造晶體,能制出甚至原先在自然界沒有的全新晶體
碳納米管可以像切蛋糕那樣輕鬆測量太赫茲鐳射功率... 2011-10-8
美國國家標準與技術研究院(NIST)的研究人員發現,幾乎所有密集陣列超長碳納米管都可以吸收長波長光線,從而有望成為測量太赫茲鐳射功率的原型檢測器有前途的塗料
用於LED製造的金屬有機物前軀體 2011-9-27
在美國加州Santa Clara 於2011年2月22-24日召開的照明戰略(SL)會議上,SAFC Hitech公司的首席技術執行官Ravi Kanjolia曾提到了金屬有機物(MO)材料的供應問題以及化合物半導體製造商目前所採用...
高性能氮化鎵電晶體研製成功 2011-9-23
法國和瑞士科學家首次使用氮化鎵在(100)-矽(晶體取向為100)基座上,成功製造出了性能優異的高電子遷徙率電晶體(HEMT)。
採用自立式 a-平面襯底來提高HFET的性能 2011-9-22
在一個已商品化的原始 a-平面襯底上製作的增強型 GaN HFET其漏極電流強度可達220 mA/mm
四元阻擋層減少紫外光發光二極體之電流驟降 2011-9-21
藉由更換紫外光 LED的阻擋層從氮化鋁鎵 (AlGaN) 成為銦鋁氮鎵( InAlGaN),一個臺灣團隊成功地在高驅動電流的元件效率下減低驟降效果。
物理所合作研究發現基於III-V族半導體的新型稀磁體... 2011-9-20
隨著資訊存儲密度迅猛增長,為突破摩爾定律瓶頸需要發展新的資訊存儲載體。在製作和研發工藝成熟的半導體中注入自旋,形成兼具電荷屬性和自旋特性的稀磁半導體,成為解決這個關鍵問題最可能的突破...
美發明納米管固態超級電容器 2011-9-20
據美國物理學家組織網近日報導,萊斯大學研究人員發明了一種以納米管為基礎的固態超級電容器。它有望集高能電池和快速充電電容器的最佳性質於一個裝置中,以適合極限環境下使用。
俄歇機制引起LED發光效率的降低 2011-9-6
來自美國加州大學Santa Barbara分校(UCSB)的chris Van de Walle團隊,通過計算發現兩種形式的間接俄歇複合機制是引起LED發光效率降低的主要原因。
在矽上生長的InGaN長波長LED器件問世 2011-8-18
RSL希望在未來的2-3年對其矽基氮化銦鎵技術進行產業化,然後繼續在200mm的矽襯底上開發生長工藝。
蘇州納米所利用氮化鎵器件從事核應用研究取得系列... 2011-10-19
在核探測器研究方面,成功製備出GaN基PIN結構X射線探測器,在X射線輻照下的光電流與暗電流之比高達27.7,並對實驗過程中觀測到的兩步電流增長機制給出了模型解釋。
美研製出能在室溫工作的石墨烯變頻器 2011-9-20
據美國物理學家組織網9月7日的報導,美國科學家首次製造出能在室溫下工作的石墨烯變頻器,克服了用石墨烯製造電子設備時的重要障礙——能帶隙...
氮極HEMT正在趕超傳統技術 2011-9-16
在藍寶石襯底上用MOCVD生長的氮極HEMT在4GHz頻率時可獲得與傳統鎵極HEMT相當的功率密度。
Imec採用填孔方法開發新SiGe 2011-8-29
採用填孔方法的簡化技術降低了矽鍺加工操作的昂貴成本和複雜性,有助於IC製造商降低成本和縮短週期時間
美國NIST測試結果顯示碳納米管元件存在可靠性問題... 2011-8-24
美國國家標準與技術研究院的研究人員近日通過測試發現,碳納米管元件的可靠性會是一個大問題。
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